لیتوگرافی اتمی با بهره گیری از تکنولوژی نانو

اساسی ترین عامل در ساخت و توسعه ادوات نیمه هادی فرآیند لیتوگرافی است. لیتوگرافی فرآیند انتقال کامل تصویر از ماسک بر روی ماده حساس به تابش به نام رزیست می باشد که روی سطح ویفر را پوشانده است. این تصاویر هر یک تعیین کننده نواحی مختلفی از یک مدار مجتمع از قبیل محل کاشت، پنجره های مربوط به اتصالات و نواحی اتصال لایه ها به یکدیگر می باشند. پس از اینکه این نواحی در روی رزیست در معرض تابش قرارگرفتند ، ماهیت و قابلیت انحلال آنها تغییر کرده و پس از تکمیل فرآیند زدودن ، پنجره هایی در این نواحی مورد نظر بر روی زیربنا باز می‌شود. در این حالت می توان با استفاده از روشهای موجود عناصر مورد نظر را در این نواحی در زیر بنا تزریق کرد. این فرآیند می‌تواند در طی چند مرحله انجام شده و اجزا یک مدار را به طور کامل بر روی ویفر ایجاد کرد [1].

 اهمیت فرآیند لیتوگرافی در ساخت مدارات مجتمع تا حدی است که حدود یک سوم هزینه ادوات الکترونیکی را به خود اختصاص داده است. امروزه هدف محققان آنست که بتوان این میزان را به ابعاد زیر 100 نانومتر و حتی در محدوده های چند نانومتر رساند. 

[1] علی رحمانی، '' لیتوگرافی اتمی و طراحی سیستم متمرکز کننده''، پایان نامه کارشناسی ارشد، 1382، دانشگاه تبریز.